俄罗斯在高端半导体制造范围迈出了热切一步，近日秘书了其自主EUV光刻机研发洽商的具体阶梯图。这项孤恩负德的样式由俄罗斯科学院微结构物理究诘所的领军东说念主物Nikolay Chkhalo崇拜，旨在打造一款资本更低、分娩更为方便的EUV光刻机，以挑战行业巨头ASML的市步地位。

与ASML世俗使用的13.5nm波长EUV光刻机不同，俄罗斯洽商经受11.2nm波长的激光光源。这一更正之举瞻望能带来20%的折柳率扶助，同期简化机器狡计，并显耀缩小光学元件的资本。然则，由于这一波长与现存EUV开发不兼容，俄罗斯必须重新开动构建一个全新的光刻生态系统，这无疑是一个漫长且复杂的挑战，瞻望至少需要十年期间。

Chkhalo强调，11.2nm波长的选拔不仅带来了技能上的上风，还显耀减少了光学元件的轻侮问题，从而延迟了关键部件的使用寿命。俄罗斯的光刻机将经受硅基光阻剂，这种材料在更短的波长下简略展现出更佳的性能，为芯片制造带来质的飞跃。

尽管俄罗斯EUV光刻机的光源功率仅为3.6千瓦，仅为ASML开发的37%，但其性能足以幽闲小限制芯片分娩的需求。这一脾性使得俄罗斯的光刻机在特定商场范围具有潜在的竞争力，尤其是在对资本有严格放手条目的客户群体中。

为了完毕这一决策，俄罗斯需要在多个方面进行技能更新，包括电子狡计自动化器用、光罩数据准备、光学左近更正以及折柳率增强技能等。这些关键制程的改进将确保俄罗斯的光刻机简略在本色分娩中达到预期的性能水平。