在半导体制造鸿沟，尽管佳能等公司推出了纳米压印技能（NIL），宣称大致出产5纳米及以下级别的芯片，但践诺情况标明，光刻技能仍然是刻下大限度芯片出产的中枢。

光刻机，尤其是先进的型号，关于确保芯片制造技能的合手续率先至关蹙迫。尽管像NIL这么的新技能以异常他如DSA、BLE电子束技能等在表面上存在后劲，但现在它们尚未被业界平庸接纳，且产能有限。因此，光刻机当作芯片制造拓荒的中枢肠位依然剖析。

好意思国对ASML向中国出售光刻机的放弃，尤其是拒接EUV光刻机出口，以及放弃先进浸润式DUV光刻机的销售，进一步突显了光刻机技能的蹙迫性。好意思国的计谋旨在通过适度光刻机的供应，来放弃中国在芯片制造鸿沟的率先。

濒临这么的挑战，自主研发成为了中国冲破技能阻塞的要道。如若不成收效研发出先进的光刻机，芯片制造技能的发展将受到严重制约。因此，中国在光刻机鸿沟的自主研发显得尤为蹙迫。

那么，中国国产光刻机的研发证明何如呢？事实上，情况并不悲不雅。把柄光刻机的发展道路图，现在来源进的是EUV光刻机，属于第六代，大致用于制造7纳米以下的芯片。而中国在光刻机研发方面也曾获取了显贵证明。

上海微电子此前也曾量产了90纳米精度的ArF光刻机，而近期又曝光了新的氟化氩光刻机，其诀别率小于等于65纳米，套刻精度小于等于8纳米。这款光刻机也曾达到了ArF光刻机的顶级水平，再进一步便是浸润式DUV光刻机（ArFi）了。

ArF光刻机与浸润式DUV光刻机在光源和责任台方面雷同，主要区别在于浸润式系统，即在晶圆上加入了一层水当作介质。而ArFi之后，便是难度更大的EUV光刻机了，它接纳13.5纳米的波长。

尽管如斯，中国距离EUV光刻机的研发收效也曾唯有两步之遥。第一步是浸润式DUV光刻机，这一步的跨越预测不会太远，因为其他联系技能也曾达成，只差浸润式系统的完善。一朝这一步达成，中国就将入部属手研发EUV光刻机。

尽管EUV光刻机的研发难度更大，但中国有信心攻克这一技能难关。一朝收效，扫数的芯片禁令王人将失去遵循，中国将在半导体制造鸿沟获取要紧冲破。